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专利名称：背接触太阳能电池的制备方法

专利类型：实用新型专利

专利申请号：CN202311832129.4

专利申请（专利权）人：天合光能股份有限公司
权利人地址：江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号

专利发明（设计）人：高纪凡,王天宇,胡匀匀,柳伟,宗建鹏,王宇航

专利摘要：本申请涉及一种背接触太阳能电池的制备方法，通过在第一极性区和第二极性区分别设置第一掩膜层和第二掩膜层，然后在第一极性区和第二极性区的交界处进行不同程度的掩膜层损伤。由于第一掩膜层的第一区域完全去除，第二掩膜层的第二区域沿层叠方向的部分去除，因此在刻蚀第一极性区和第二极性区的过程中，第一极性区对应第一区域的位置会被完全刻蚀，从而形成隔离区；剩余的第二掩膜层会起到阻挡作用，使得第二极性区对应第二区域的位置不会被完全刻蚀，因而第二极性区不会形成隔离区。也即，只在第一极性区的边缘部分形成了隔离区，不仅解决了漏电和短路问题；而且大幅缩窄了隔离区的宽度，有利于载流子收集，从而提升光电转换效率。

主权利要求：
1.一种背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述背接触太阳能电池的制备方法包括以下步骤：在半导体衬底(110)的背光面制备间隔排列且极性相反的第一极性区(120)和第二极性区(130)；
在所述第一极性区(120)远离所述半导体衬底(110)的一侧制备第一掩膜层(140)；
在所述第二极性区(130)远离所述半导体衬底(110)的一侧制备第二掩膜层(150)；
去除所述第一掩膜层(140)的第一区域(141)，以暴露所述第一极性区(120)对应所述第一区域(141)远离所述半导体衬底(110)的一侧表面；
并沿层叠方向去除所述第二掩膜层(150)的部分第二区域(151)，且未暴露所述第二极性区(130)对应所述第二区域(151)远离所述半导体衬底(110)的一侧表面；
所述第一区域(141)和所述第二区域(151)位于所述第一极性区(120)和所述第二极性区(130)的交界处；所述层叠方向即为所述半导体衬底(110)和所述第一极性区(120)的分布方向；
在所述第一极性区(120)对应所述第一区域(141)的位置形成隔离区(160)。
2.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，采用激光加工的方式去除所述第一掩膜层(140)的第一区域(141)以及去除所述第二掩膜层(150)的部分第二区域(151)；其中，所述第一掩膜层(140)和所述第二掩膜层(150)的参数具有差异；
所述第一掩膜层(140)的厚度小于所述第二掩膜层(150)的厚度；和/或
所述第一掩膜层(140)的致密性低于所述第二掩膜层(150)的致密性；和/或所述第一掩膜层(140)的耐蚀刻性低于所述第二掩膜层(150)的耐蚀刻性；和/或所述第一掩膜层(140)的吸光程度大于所述第二掩膜层(150)的吸光程度。
3.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，在所述第一极性区(120)对应所述第一区域(141)的位置形成隔离区(160)的步骤之后还包括：去除所述第一极性区(120)剩余的第一掩膜层(140)以及去除所述第二极性区(130)剩余的第二掩膜层(150)。
4.根据权利要求3所述的背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，在去除所述第一极性区(120)剩余的第一掩膜层(140)以及去除所述第二极性区(130)剩余的第二掩膜层(150)的步骤之后还包括：在所述第一极性区(120)、所述第二极性区(130)以及所述隔离区(160)背离所述半导体衬底(110)的一侧均设置背面钝化层(170)。
5.根据权利要求4所述的背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，在所述第一极性区(120)、所述第二极性区(130)以及所述隔离区(160)背离所述半导体衬底(110)的一侧均设置背面钝化层(170)的步骤之后还包括：在所述半导体衬底(110)的正面设置正面钝化层(180)。
6.根据权利要求5所述的背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，在所述半导体衬底(110)的正面设置正面钝化层(180)的步骤之后还包括：在所述第一极性区(120)远离所述半导体衬底(110)的一侧表面设置第一电极(121)，在所述第二极性区(130)远离所述半导体衬底(110)的一侧表面设置第二电极(131)；所述第一电极(121)的极性与所述第二电极(131)的极性相反。
7.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，采用湿法刻蚀的方式在所述第一掩膜层(140)的所述第一区域(141)形成隔离区(160)。
8.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述第一掩膜层(140)和/或所述第二掩膜层(150)包括单层膜或多层叠层膜。
9.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述第一掩膜层(140)和/或所述第二掩膜层(150)包括绝缘介质层、半导体层和氧化物层中的至少一种。 说明书 : 背接触太阳能电池的制备方法技术领域[0001] 本申请涉及光伏技术领域，特别是涉及背接触太阳能电池的制备方法。背景技术[0002] 背接触太阳能电池具有正面无栅线遮挡的结构特点，因此在电池美学性上具有显著的优势；同时由于将电极全部集成于背部，正面受光比例更高，因而背接触太阳能电池往往兼具高效的特点。[0003] 通常地，由于背接触太阳能电池的两种极性区（P区和N区）都位于背光面（简称背面），因而需要在两种极性区之间设置隔离区来防止短路。[0004] 相关技术中，隔离区域的宽度较宽，影响电池的载流子收集，进而影响光电转换效率。发明内容[0005] 基于此，有必要针对现有的背接触太阳能电池存在的影响光电转换效率的问题，提供一种背接触太阳能电池的制备方法。[0006] 一种背接触太阳能电池的制备方法，所述背接触太阳能电池的制备方法包括以下步骤：[0007] 在半导体衬底的背光面制备间隔排列且极性相反的第一极性区和第二极性区；[0008] 在所述第一极性区远离所述半导体衬底的一侧制备第一掩膜层；[0009] 在所述第二极性区远离所述半导体衬底的一侧制备第二掩膜层；[0010] 去除所述第一掩膜层的第一区域，并沿层叠方向去除所述第二掩膜层的部分第二区域；所述第一区域和所述第二区域位于所述第一极性区和所述第二极性区的交界处；所述层叠方向即为所述半导体衬底和所述第一极性区的分布方向；[0011] 在所述第一极性区对应所述第一区域的位置形成隔离区。[0012] 在其中一个实施例中，采用激光加工的方式去除所述第一掩膜层的第一区域以及去除所述第二掩膜层的部分第二区域；其中，所述第一掩膜层和所述第二掩膜层的参数具有差异。[0013] 在其中一个实施例中，所述第一掩膜层的厚度小于所述第二掩膜层的厚度；和/或[0014] 所述第一掩膜层的致密性低于所述第二掩膜层的致密性；和/或[0015] 所述第一掩膜层的耐蚀刻性低于所述第二掩膜层的耐蚀刻性；和/或[0016] 所述第一掩膜层的吸光程度大于所述第二掩膜层的吸光程度。[0017] 在其中一个实施例中，在所述第一极性区对应所述第一区域的位置形成隔离区的步骤之后还包括：去除所述第一极性区剩余的第一掩膜层以及去除所述第二极性区剩余的第二掩膜层。[0018] 在其中一个实施例中，在去除所述第一极性区剩余的第一掩膜层以及去除所述第二极性区剩余的第二掩膜层的步骤之后还包括：在所述第一极性区、所述第二极性区以及所述隔离区背离所述半导体衬底的一侧均设置背面钝化层。[0019] 在其中一个实施例中，在所述第一极性区、所述第二极性区以及所述隔离区背离所述半导体衬底的一侧均设置背面钝化层的步骤之后还包括：在所述半导体衬底的正面设置正面钝化层。[0020] 在其中一个实施例中，在所述半导体衬底的正面设置正面钝化层的步骤之后还包括：在所述第一极性区设置第一电极，在所述第二极性区设置第二电极；所述第一电极的极性与所述第二电极的极性相反。[0021] 在其中一个实施例中，采用湿法刻蚀的方式在所述第一掩膜层的所述第一区域形成隔离区。[0022] 在其中一个实施例中，所述第一掩膜层和/或所述第二掩膜层包括单层膜或多层以上的叠层膜。[0023] 在其中一个实施例中，所述第一掩膜层和/或所述第二掩膜层包括绝缘介质层、半导体层和氧化物层中的至少一种。[0024] 上述背接触太阳能电池的制备方法，通过在第一极性区和第二极性区分别设置第一掩膜层和第二掩膜层，然后在第一极性区和第二极性区的交界处进行不同程度的掩膜层损伤。由于第一掩膜层的第一区域完全去除，因此在刻蚀第一极性区和第二极性区的过程中，第一极性区对应第一区域的位置会被完全刻蚀，从而形成隔离区；而第二掩膜层沿层叠方向的部分第二区域被去除，因而剩余的第二掩膜层会起到阻挡作用，使得第二极性区对应第二区域的位置不会被完全刻蚀，因而第二极性区不会形成隔离区。也即，只在第一极性区的边缘部分形成了隔离区，不仅实现了第一极性区与第二极性区的隔离，解决漏电和短路问题；而且大幅缩窄了隔离区的宽度，有利于载流子收集，从而提升光电转换效率。附图说明[0025] 图1为本申请一实施例提供的第一掩膜层和第二掩膜层的示意图。[0026] 图2为本申请一实施例提供的背接触太阳能电池的剖面示意图。[0027] 图3为本申请一实施例提供的背接触太阳能电池的制备方法的流程图。[0028] 附图标号：100、背接触太阳能电池；110、半导体衬底；120、第一极性区；121、第一电极；130、第二极性区；131、第二电极；140、第一掩膜层；141、第一区域；150、第二掩膜层；151、第二区域；160、隔离区；170、背面钝化层；180、正面钝化层。具体实施方式[0029] 为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请。但是本申请能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似改进，因此本申请不受下面公开的具体实施例的限制。[0030] 在本申请的描述中，需要理解的是，若有出现这些术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等，这些术语指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。[0031] 此外，若有出现这些术语“第一”、“第二”，这些术语仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本申请的描述中，若有出现术语“多个”，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。[0032] 在本申请中，除非另有明确的规定和限定，若有出现术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等，这些术语应做广义理解。例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。[0033] 在本申请中，除非另有明确的规定和限定，若有出现第一特征在第二特征“上”或“下”等类似的描述，其含义可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。[0034] 需要说明的是，若元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。若一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。如若存在，本申请所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“上”、“下”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。[0035] 太阳能电池是一种将光能转化为电能的半导体器件。太阳能电池利用光生伏特原理产生载流子，然后使用电极将载流子引出，从而将电能有效利用。[0036] 当正电极、负电极均位于太阳能电池的背光面（简称背面）时，该太阳能电池为背接触太阳能电池。由于发射极和金属接触都处于背接触太阳能电池的背面，正面没有金属电极遮挡的影响，提高了光的利用率，因此具有更高的短路电流，同时背面可以容许较宽的金属栅线来降低串联电阻从而提高填充因子；并且这种正面无遮挡的电池不仅转换效率高，而且看上去更为美观。[0037] 通常地，由于背接触太阳能电池的两种极性区（P区和N区）都位于背面，因而需要在两种极性区之间设置隔离区，以抑制导电类型不同的载流子在第一极性区和第二极性区的交界处进行复合，防止漏电和短路。相关技术中，隔离区域的宽度较宽，影响电池的载流子收集，进而影响光电转换效率。[0038] 基于此，本申请一实施例提供了一种背接触太阳能电池的制备方法，能够缩窄隔离区的宽度，有利于载流子收集，从而提升光电转换效率。下面将结合附图，对本申请实施例中的背接触太阳能电池的制备方法进行详细介绍。[0039] 图1为本申请一实施例提供的第一掩膜层140和第二掩膜层150的示意图，图2为本申请一实施例提供的背接触太阳能电池100的剖面示意图，图3为本申请一实施例提供的背接触太阳能电池100的制备方法的流程图。参阅图1至图3所示，本申请一实施例提供的背接触太阳能电池100的制备方法，包括以下步骤：[0040] S200，在半导体衬底110的背光面制备间隔排列且极性相反的第一极性区120和第二极性区130。[0041] 其中，半导体衬底110包括晶硅，半导体衬底110可以为硅衬底、锗硅衬底或锗衬底等半导体材质的衬底。从导电类型方面来讲，半导体衬底110可以为本征导电衬底、N型导电衬底或P型导电衬底。优选地，半导体衬底110为N型导电衬底或P型导电衬底。与本征导电衬底相比，N型导电衬底或P型导电衬底具有更高的导电率，利于降低背接触太阳能电池100的串联电阻，提高背接触太阳能电池100的效率。[0042] 第一极性区120为掺杂的半导体层，包括掺杂单晶硅、掺杂多晶硅、掺杂非晶硅中的至少一种。第二极性区130为掺杂的半导体层，包括掺杂单晶硅、掺杂多晶硅、掺杂非晶硅中的至少一种，且第一极性区120和第二极性区130的掺杂类型相反。例如，第一极性区120为N型掺杂时，第二极性区130为P型掺杂；第一极性区120为或P型掺杂时，第二极性区130为N型掺杂。[0043] S300，在第一极性区120远离半导体衬底110的一侧制备第一掩膜层140，如图1和图3所示。[0044] 其中，第一掩膜层140可以为单层膜或两层及两层以上的叠层薄膜，第一掩膜层140包括绝缘介质层、半导体层、氧化物层中的至少一种。绝缘介质层材质包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等，半导体层包括多晶硅、非晶硅/纳米晶硅/微晶硅等，氧化物层包括氧化硅、磷硅玻璃、硼硅玻璃等。可以采用涂覆的方法在第一极性区120的背面制备第一掩膜层140。在制备隔离区160之前，通过设置第一掩膜层140保护非隔离区160域的第一极性区120不被破坏。[0045] S400，在第二极性区130远离半导体衬底110的一侧制备第二掩膜层150，如图1和图3所示。[0046] 其中，第二掩膜层150可以为单层膜或两层及两层以上的叠层薄膜，第二掩膜层150包括绝缘介质层、半导体层、氧化物层中的至少一种。绝缘介质层材质包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等，半导体层包括多晶硅、非晶硅/纳米晶硅/微晶硅等，氧化物层包括氧化硅、磷硅玻璃、硼硅玻璃等。可以采用涂覆的方法在第二极性区130的背面制备第二掩膜层150。在制备隔离区160之前，通过设置第二掩膜层150保护非隔离区160域的第二极性区130不被破坏。[0047] 进一步地，第一掩膜层140和第二掩膜层150的参数具有差异。例如，在一些实施例中，第一掩膜层140的厚度小于第二掩膜层150的厚度。在又一些实施例中，第一掩膜层140的致密性低于第二掩膜层150的致密性。在另一些实施例中，第一掩膜层140的耐蚀刻性低于第二掩膜层150的耐蚀刻性。在其他的实施例中，第一掩膜层140的吸光程度大于第二掩膜层150的吸光程度。[0048] S500，去除第一掩膜层140的第一区域141，并沿层叠方向去除第二掩膜层150的部分第二区域151；第一区域141和第二区域151位于第一极性区120和第二极性区130的交界处；层叠方向即为半导体衬底110和第一极性区120的分布方向。如图1用Z方向示意出了层叠方向。[0049] 具体地，可以采用激光加工的方式作用于第一极性区120和第二极性区130的交界处，以去除第一掩膜层140的第一区域141和第二掩膜层150的部分第二区域151。沿层叠方向去除第二掩膜层150的部分第二区域151的意思是指，比如在激光作用之前，第二掩膜层150的第二区域151沿层叠方向（Z方向）的厚度为L1，那么激光作用之后，第二区域151沿层叠方向（Z方向）的厚度则变为L2，可以理解地，L2显然是小于L1的。通过出射激光束作用于第一区域141和第二区域151，以第一区域141和第二区域151的吸光程度不同为例，由于第一区域141的吸光程度大于第二区域151的吸光程度，因此激光作用于第一区域141的损伤程度大于作用于第二区域151的损伤程度，从而实现第一区域141的第一掩膜层140的完全去除，以及第二区域151的第二掩膜层150的部分去除。第一区域141的宽度（宽度方向即为第一极性区和第二极性区的分布方向，宽度方向与层叠方向垂直）可以大于第二区域151的宽度，或者是小于第二区域151的宽度，或者是等于第二区域151的宽度，只要能够实现第一掩膜层140的第一区域141完全去除，第二掩膜层150的第二区域151部分去除即可。[0050] S600，在第一极性区120对应第一区域141的位置形成隔离区160，如图2和图3所示。[0051] 具体地，可以采用湿法刻蚀的方式形成隔离区160，例如采用碱性溶液或酸性溶液等化学药液作用于第一极性区和第二极性区。由于第一掩膜层140的第一区域141被完全去除，因此第一极性区120对应第一区域141的位置会被化学药液完全刻蚀，从而形成隔离区160；而第二掩膜层150的第二区域151沿层叠方向的部分去除，因而剩余的第二掩膜层150会对刻蚀药液起到阻挡作用，使得第二极性区130对应第二区域151的位置不会被完全刻蚀，因而第二极性区130不会形成隔离区160。也即，只在第一极性区120的边缘部分形成了隔离区160，不仅实现了第一极性区120与第二极性区130的隔离，解决漏电问题；而且大幅缩窄了隔离区160的宽度，有利于载流子收集，从而提升光电转换效率。[0052] 在其他实施例中，也可以采用等离子气体对第一极性区120和第二极性区130进行干法刻蚀，只要保证第二掩膜层150能够阻隔等离子体气体的攻击即可。[0053] 在其中一个实施例中，在第一极性区120对应第一区域141的位置形成隔离区160的步骤之后还包括：S700，去除第一极性区120剩余的第一掩膜层140以及去除第二极性区130剩余的第二掩膜层150。[0054] 由于第一极性区120上还留有第一掩膜层140，第二极性区130上还留有第二掩膜层150，因此为了方便制备后续的背面钝化层170，提升钝化效果，需要去除残留的第一掩膜层140和第二掩膜层150。具体地，可以采用化学溶剂或机械去除的方法去除剩余的第一掩膜层140和第二掩膜层150。以化学溶剂法为例，当第一掩膜层140和第二掩膜层150为氧化硅层时，具体可以使用含HF或者NH4F等的溶液等去除氧化硅层，通过含氟元素的刻蚀溶液能够较为容易地去除掩膜层，特别是氧化物掩膜层。[0055] 如图2和图3所示，在其中一个实施例中，在去除第一极性区120剩余的第一掩膜层140以及去除第二极性区130剩余的第二掩膜层150的步骤之后还包括：S800，在第一极性区120、第二极性区130以及隔离区160背离半导体衬底110的一侧均设置背面钝化层170。背面钝化层170可以为氮化硅、氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮氧化硅中的一种或多种复合薄膜。[0056] 如图2和图3所示，在其中一个实施例中，在第一极性区120、第二极性区130以及隔离区160背离半导体衬底110的一侧均设置背面钝化层170的步骤之后还包括：S900，在半导体衬底110的正面设置正面钝化层180。正面钝化层180可以为氮化硅、氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮氧化硅中的一种或多种复合薄膜。其中，形成背面钝化层170的工艺可以为等离子体化学气相沉积(PECVD)工艺、热丝化学气相沉积工艺、物理气相沉积(PVD)工艺、低压化学气相沉积(LPCVD)工艺或催化化学气相沉积工艺等。[0057] 在一些实施例中，在形成正面钝化层180后，还可以在正面钝化层180上形成一层减反射层。减反射层可以减少对入射到背面的光线的反射，提高对光线的折射，增加对入射到背面的光线的利用率，进而提高了背接触电池的光电转换效率。[0058] 如图2和图3所示，在其中一个实施例中，在半导体衬底110的正面设置正面钝化层180的步骤之后还包括：S1000，在第一极性区120设置第一电极121，在第二极性区130设置第二电极131；第一电极121的极性与第二电极131的极性相反。通过设置第一电极121和第二电极131，有利于载流子导出，降低背光面一侧的载流子复合速率，进一步提高背接触电池的光电转换效率。[0059] 实际应用中，形成电极的方法包括多种，可以直接使用烧穿型浆料涂覆在背面钝化层170上，然后经过热处理使得电极浆料穿过背面钝化层170形成接触。也可以先在待接触区域的少部分区域上形成钝化膜开孔，然后使用电极浆料、激光转印法、电镀、化学镀、光诱导电镀等方法，或者蒸发、溅射等物理气相沉积等方法形成电极。[0060] 显然地，也可以使用以上方法中的一种或者多种方法的结合来形成电极。例如，使用物理气相沉积工艺配合印刷电极的方法，亦或是丝网印刷电极浆料配合电镀方法，或是激光转印方法和丝网印刷烧结方法的结合等。[0061] 进一步的，在形成电极后，还可以有其他的步骤，例如光注入或者电注入载流子或者其他热处理的过程等，以及效率分档或者切片等的步骤。[0062] 上述背接触太阳能电池100的制备方法，通过在第一极性区120和第二极性区130分别设置第一掩膜层140和第二掩膜层150，然后在第一极性区120和第二极性区130的交界处进行不同程度的掩膜层损伤。由于第一掩膜层140的第一区域141完全去除，因此在刻蚀第一极性区120和第二极性区130的过程中，第一极性区120对应第一区域141的位置会被完全刻蚀，从而形成隔离区160；而第二掩膜层150的第二区域151沿层叠方向的部分去除，因而剩余的第二掩膜层150会起到阻挡作用，使得第二极性区130对应第二区域151的位置不会被完全刻蚀，因而第二极性区130不会形成隔离区160。也即，只在第一极性区120的边缘部分形成了隔离区160，不仅实现了第一极性区120与第二极性区130的隔离，解决漏电短路问题；而且大幅缩窄了隔离区160的宽度，有利于载流子收集，从而提升光电转换效率。同时，低精度要求的隔离区160设置，对制备背接触太阳能电池100的设备选型范围、良率提升、解决漏电问题有很大的帮助。[0063] 以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。[0064] 以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

专利地区：江苏

专利申请日期：2023-12-28

专利公开日期：2024-11-29

专利公告号：CN117790600B