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专利名称：一种LED支架及制备方法、LED封装器件

专利类型：发明专利

专利申请号：CN202411095680.X

专利申请（专利权）人：江西省兆驰光电有限公司
权利人地址：江西省南昌市青山湖区胡家路199号

专利发明（设计）人：唐其勇,卢鹏,胡加辉,金从龙

专利摘要：本发明涉及半导体的技术领域，公开了一种LED支架及制备方法、LED封装器件，制备方法，包括：（1）提供一金属板；（2）采用蚀刻液喷射装置喷射蚀刻液对金属板的底面和侧壁分别进行蚀刻，通过控制蚀刻液的喷射量和喷射速率，形成具有绝缘孔的反射杯，所述绝缘孔贯穿所述反射杯的底部；（3）在反射杯的内表面设置金属反射层；（4）在绝缘孔中注入绝缘材料，形成LED支架。通过实施该制备方法可以蚀刻出异形反射杯，而且制备得到的LED支架对LED芯片的出光的反射率高，而且LED支架的耐候性好，对LED芯片的性能影响。梅椒ɑ箍梢远愿竦慕鹗舨牧辖屑庸。

主权利要求：
1.一种LED支架的制备方法，其特征在于，包括：（1）提供一金属板；
（2）采用蚀刻液喷射装置喷射蚀刻液对金属板的底面和侧壁分别进行蚀刻，通过控制蚀刻液的喷射量和喷射速率，形成具有绝缘孔的反射杯，所述绝缘孔贯穿所述反射杯的底部；
（3）在反射杯的内表面设置金属反射层；
（4）在绝缘孔中注入绝缘材料，形成LED支架；
所述蚀刻液喷射装置与预设的反射杯的形状相匹配，包括第一喷射孔和第二喷射孔；
步骤（2）包括：
A、采用所述第一喷射孔对金属板的底面进行蚀刻，逐渐形成反射杯的底部；
B、采用所述第二喷射孔对金属板的侧壁进行蚀刻，逐渐形成反射杯的侧壁；
C、采用所述第一喷射孔对金属板的底面进行蚀刻，形成贯穿所述反射杯底部的绝缘孔。
2.如权利要求1所述的LED支架的制备方法，其特征在于，所述第一喷射孔设于蚀刻液喷射装置的底表面，所述第二喷射孔设于蚀刻液喷射装置的侧表面。
3.如权利要求1所述的LED支架的制备方法，其特征在于，所述第一喷射孔和第二喷射孔为等间隔设置。
4.如权利要求2所述的LED支架的制备方法，其特征在于，预设LED支架的反射杯的下底长为A，侧壁长为B，相邻所述第一喷射孔的间隔为C，相邻所述第二喷射孔的间隔为D，C=
0.05 0.1A，D=0.05 0.1B。
~ ~
5.如权利要求1或4所述的LED支架的制备方法，其特征在于，步骤（2）中，所述喷射速率为3m/s 5m/s。
~
6.如权利要求1所述的LED支架的制备方法，其特征在于，所述蚀刻液的成分按重量份计包括：50 60份三氯化铁、10 20份过硫酸钠、3 8份硫酸、0.01 0.02份苯并三氮唑、3 7份~ ~ ~ ~ ~氨基酸。
7.如权利要求1所述的LED支架的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：在所述LED支架的外侧设置绝缘材料层；
所述金属板的厚度为0.5mm 1mm；所述金属板包括铜板；
~
所述LED支架的反射杯的剖面为梯形或者下凹的圆弧面。
8.一种LED支架，其特征在于，采用如权利要求1 7任一项所述的制备方法制备得到，所~述LED支架的反射杯与支架底部的金属板一体成型。
9.一种LED封装器件，其特征在于，包括如权利要求1 7任一项所述的制备方法制备得~到的LED支架或者如权利要求8所述的LED支架，其制备方法主要包括：将LED发光芯片固定于所述LED支架上的绝缘孔对应的位置处。 说明书 : 一种LED支架及制备方法、LED封装器件技术领域[0001] 本发明涉LED封装的技术领域，尤其涉及一种LED支架及制备方法、LED封装器件。背景技术[0002] 现有的LED主要由发光芯片、荧光胶和支架组成，其中支架由塑胶和铜材组成，塑胶分为两个部分：其一是处于正负极中间的塑胶，将支架的正负极隔开；其二是位于铜材上方的塑胶，形成反射杯，用于盛装和包裹荧光胶。LED的内部（支架铜材的上表面、荧光胶的下面）通常是电镀一层银，起到反光的作用，将LED芯片发出的光，向LED上方反射，以增强LED的亮度。LED支架中的白色塑胶料，也能一定程度的反光作用，但反光效果比镀银层差。[0003] 目前的LED支架中，还存在以下问题：[0004] （1）支架中塑胶料的耐候性较差，在LED使用过程中，塑胶会持续承受光和热的影响，导致塑胶逐步裂解碎裂、碳化发黑，最终导致LED光维持率降低，甚至导致LED失效；[0005] （2）荧光胶下方，起反射作用的有两部分，一是铜材上的镀银层，二是塑胶，但塑胶的反射率比镀银层的反射率低，导致LED的亮度提升受限；[0006] （3）现有的蚀刻技术，通常只能加工平面型、较薄的铜材，无法用于LED支架的反射杯的蚀刻。发明内容[0007] 本发明所要解决的技术问题在于，提供一种LED支架及其制备方法，可以蚀刻出异形反射杯，而且制备得到的LED支架对LED芯片的出光的反射率高，LED支架的耐候性好，对LED芯片的性能影响小。[0008] 本发明所要解决的技术问题还在于，提供一种LED封装器件，使其具有高出光亮度。[0009] 为了解决上述技术问题，本发明第一方面提供了一种LED支架的制备方法，包括：[0010] （1）提供一金属板；[0011] （2）采用蚀刻液喷射装置喷射蚀刻液对金属板的底面和侧壁分别进行蚀刻，通过控制蚀刻液的喷射量和喷射速率，形成具有绝缘孔的反射杯，所述绝缘孔贯穿所述反射杯的底部；[0012] （3）在反射杯的内表面设置金属反射层；[0013] （4）在绝缘孔中注入绝缘材料，形成LED支架；[0014] 作为上述方案的改进，所述蚀刻液喷射装置与预设的反射杯的形状相匹配，包括第一喷射孔和第二喷射孔；[0015] 步骤（2）包括：[0016] A、采用所述第一喷射孔对金属板的底面进行蚀刻，逐渐形成反射杯的底部；[0017] B、采用所述第二喷射孔对金属板的侧壁进行蚀刻，逐渐形成反射杯的侧壁；[0018] C、采用所述第一喷射孔对金属板的底面进行蚀刻，形成贯穿所述反射杯底部的绝缘孔。[0019] 作为上述方案的改进，所述第一喷射孔设于蚀刻液喷射装置的底表面，所述第二喷射孔设于蚀刻液喷射装置的侧表面。[0020] 作为上述方案的改进，所述第一喷射孔和第二喷射孔为等间隔设置。[0021] 作为上述方案的改进，预设LED支架的反射杯的下底长为A，侧壁长为B，相邻所述第一喷射孔的间隔为C，相邻所述第二喷射孔的间隔为D，C=0.05 0.1A，D=0.05 0.1B。~ ~[0022] 作为上述方案的改进，步骤（2），所述喷射速率为3m/s 5m/s。~[0023] 作为上述方案的改进，所述蚀刻液的成分按重量份计包括：50 60份三氯化铁、10~ ~20份过硫酸钠、3 8份硫酸、0.01 0.02份苯并三氮唑、3 7份氨基酸。~ ~ ~[0024] 作为上述方案的改进，所述制备方法还包括：在所述LED支架的外侧设置绝缘材料层；[0025] 所述金属板的厚度为0.5mm 1mm；所述金属板包括铜板；~[0026] 所述LED支架的反射杯的剖面为梯形或者下凹的圆弧面。[0027] 本发明第二方面还提供了一种LED支架，采用所述的制备方法制备得到，所述LED支架的反射杯与支架底部的金属板一体成型。[0028] 本发明第三方面还提供了一种LED封装器件，包括所述的LED支架，其制备方法主要包括：将LED发光芯片固定于所述LED支架上的绝缘孔对应的位置处。[0029] 实施本发明，具有如下有益效果：[0030] 本发明中，通过采用蚀刻液喷射装置对金属板进行蚀刻，实现了反射杯中金属对绝缘材料的部分替代，并使反射杯与金属板一体成型，可以将原本设置于金属底部的金属反射层延伸到整个反射杯的内壁表面（与荧光胶接触的区域），提高了LED芯片的出光效率，提高了LED支架的耐候性，而且增加了LED支架的稳定性，使所得LED封装器件具有亮度高、耐候性强等优势。[0031] 此外，采用蚀刻液喷射装置对金属板进行蚀刻，实现了对更厚的金属板的蚀刻处理，并使所述蚀刻液喷射装置的形状与所述预设LED支架的反射杯的形状相匹配，能够蚀刻出包括斜坡、弧面等多种异形反射杯。附图说明[0032] 图1：现有的LED支架的制备方法中步骤（1）金属板的结构示意图；[0033] 图2：现有的LED支架的制备方法中步骤（2）的工作示意图；[0034] 图3：现有的LED支架的制备方法中步骤（3）的工作示意图；[0035] 图4：现有的LED支架的制备方法中步骤（4）所得LED支架的结构示意图；[0036] 图5：现有的LED支架的制备方法中步骤（5）所得LED支架的结构示意图；[0037] 图6：现有的LED封装器件的结构示意图；[0038] 图7：本发明中蚀刻液喷射装置的结构示意图；[0039] 图8：本发明中步骤（21）的工作示意图；[0040] 图9：本发明中步骤（22）的工作示意图；[0041] 图10：本发明中步骤（23）的工作示意图；[0042] 图11：本发明中步骤（24）的工作示意图；[0043] 图12：本发明中步骤（3）所得LED支架的工作示意图；[0044] 图13：本发明中步骤（4）所得LED支架的工作示意图；[0045] 图14：本发明中一种LED封装器件的制备方法中固晶的工作示意图；[0046] 图15：本发明中一种LED封装器件的结构示意图；[0047] 图16：本发明中另一种LED封装器件的结构示意图；[0048] 图17：本发明中另一种LED封装器件的结构示意图。[0049] 附图标记：1?金属板；2?阻挡胶；3?蚀刻液；4?绝缘孔；5?绝缘材料；6?LED支架；7?LED发光芯片；8?金属反射层；9?荧光胶；10?蚀刻液喷射装置；101?第一喷射孔；102?第二喷射孔；11?绝缘材料层。具体实施方式[0050] 为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将具体实施例对本发明作进一步地详细描述。[0051] 目前，请参阅图1 图5，常规LED支架的制造方法为：~[0052] （1）提供一金属板1，如图1所示；[0053] （2）在金属板1上设置阻挡胶2，保护需要留下的区域，使此处的金属材料不与蚀刻液3发生化学反应，如图2所示；[0054] （3）将包裹有阻挡胶2的金属板1浸泡在蚀刻液3里，进行充分的氧化还原反应，使被阻挡胶2遮盖的部分不被蚀刻，其余部分被蚀刻掉形成绝缘孔4，如图3所示；[0055] 其中，蚀刻的经典反应方程式可以是：Cu+2HCl+H2O2→CuCl2+2H2O；[0056] （4）去除阻挡胶2，形成的结构如图4所示；[0057] （5）通过注塑工艺，把支架的绝缘材料5和金属板1压合在一起，形成LED支架6，其结构图5所示。[0058] 进一步地，采用常规LED支架6得到的LED封装器件（结构如图6所示），包括：LED支架6、LED发光芯片7、金属反射层8和荧光胶9。所述LED封装器件的耐候性较差，而且发光亮度较低。[0059] 为解决上述问题，本发明提供了一种LED支架的制备方法，包括：[0060] （1）提供一金属板1；[0061] （2）采用蚀刻液喷射装置10喷射蚀刻液3对金属板1的底面和侧壁分别进行蚀刻，通过控制蚀刻液3的喷射量和喷射速率，形成具有绝缘孔4的反射杯，所述绝缘孔4贯穿所述反射杯的底部；[0062] （3）在反射杯的内表面设置金属反射层8；[0063] （4）在绝缘孔4中注入绝缘材料5，形成LED支架6；[0064] 本发明中，通过采用所述蚀刻液喷射装置10对金属板1进行蚀刻，实现了反射杯中金属对绝缘材料5的部分替代，增加了LED支架6的耐候性，并使所述反射杯与金属板1一体成型，可以将原本设置于金属底部的金属反射层8延伸到整个反射杯的内壁表面（与荧光胶9接触的区域），提高了LED芯片的出光效率，也提高了LED支架6的耐候性，而且增加了LED支架6的稳定性，使所得LED封装器件具有亮度高、耐候性强等优势。[0065] 下面对每一步骤进行具体阐述，请参阅图7 图15：~[0066] （1）提供一金属板1；[0067] 优选地，所述金属板1的厚度为0.5mm 1mm，其厚度符合常规LED支架6的需求。~[0068] 进一步地，所述金属板1包括铜板，也可以是本领域用于金属焊盘的其他金属板材。[0069] （2）采用蚀刻液喷射装置10喷射蚀刻液3对金属板1的底面和侧壁分别进行蚀刻，通过控制蚀刻液3的喷射量和喷射速率，形成具有绝缘孔4的反射杯，所述绝缘孔4贯穿所述反射杯的底部；[0070] 优选地，所述LED支架6的反射杯的剖面为梯形或者下凹的圆弧面。[0071] 所述蚀刻液喷射装置10与预设的反射杯的形状相匹配。如图7所示，所述蚀刻液喷射装置10包括第一喷射孔101和第二喷射孔102，所述蚀刻液喷射装置10内部设置有供应喷射液的管道（图中未标出），所述第一喷射孔101和第二喷射孔102可以通过同一管道同时进行控制，也可以通过不同的管道独立控制。所述第一喷射孔101设于蚀刻液喷射装置10的底表面，所述第二喷射孔102设于蚀刻液喷射装置10的侧表面，在进行蚀刻时，先采用所述第一喷射孔101对金属板1的底面进行蚀刻，随后由下至上逐渐采用更多所述第二喷射孔102对金属板1的侧壁进行蚀刻，最后采用所述第一喷射孔101对金属板1的底面进行蚀刻，形成贯穿所述反射杯底部的绝缘孔4。[0072] 进一步地，步骤（2）包括：[0073] A、采用所述第一喷射孔101对金属板1的底面进行蚀刻，逐渐形成反射杯的底部；[0074] B、采用所述第二喷射孔102对金属板1的侧壁进行蚀刻，逐渐形成反射杯的侧壁；[0075] C、采用所述第一喷射孔101对金属板1的底面进行蚀刻，形成贯穿所述反射杯底部的绝缘孔4。[0076] 具体步骤为：[0077] （21）蚀刻初始，使蚀刻液3通过所述第一喷射孔101喷出，对金属板1的底面进行蚀刻，使蚀刻液喷射装置10逐渐下移，请参阅图8；[0078] （22）蚀刻液喷射装置10下移至与所述第一喷射孔101相邻的第二喷射孔102的位置处，使蚀刻液3通过第二喷射孔102喷出，开始对金属板1的侧壁进行蚀刻，请参阅图9；[0079] （23）蚀刻液喷射装置10随着蚀刻深度继续下移，使蚀刻液3由下至上通过更多所述第二喷射孔102喷出，对金属板1的侧壁继续进行蚀刻，请参阅图10。[0080] 优选地，所述第一喷射孔101和第二喷射孔102为等间隔设置。[0081] 预设LED支架6的反射杯的下底长为A，侧壁长为B，相邻所述第一喷射孔101的间隔为C，相邻所述第二喷射孔102的间隔为D，C=0.05 0.1A，D=0.05 0.1B。通过控制相邻所述第~ ~一喷射孔101的间距和相邻第二喷射孔102的间距，可以使金属基板的底面和侧面形成的蚀刻面比较光滑，减少对光的吸收和散射作用，进而保证光的有效输出，同时结合特定的蚀刻速度和喷射量，能够根据需求形成平直面结构或者凹面等异形面结构。进一步地，C=0.06~0.08A，示例性的为C=0.06A、C=0.065A、C=0.07A、C=0.075A、C=0.08A，但不限于此；D=0.06~0.08B，示例性的为D=0.06B、D=0.065B、D=0.07B、D=0.075B、D=0.08B，但不限于此，若喷射孔间隔太大会导致蚀刻面不平整，但喷射孔间隔太小会超出加工精度。[0082] 进一步地，所述喷射速率为3m/s 5m/s，在特定间隔设置的喷射孔的作用下，根据~喷射时间和蚀刻形状控制蚀刻液3的喷射用量，协调蚀刻速度可以控制形成的蚀刻面的均匀性、平整度，而且控制蚀刻液3的蚀刻速度为3m/s 5m/s，可以使金属板1的底面和侧壁能~同时达到反射杯的预设轮廓，满足所述LED支架6的预设形状，避免对喷射孔的开关进行多次调节，增加了LED支架6的制备的便利性。[0083] （24）采用第一喷射孔101继续对反射杯的底面进行蚀刻，形成贯穿所述反射杯底部的绝缘孔4，所述绝缘孔4用于隔绝正负极；[0084] 具体地，关闭金属板1两端的所述第一喷射孔101，利用中间部分的第一喷射孔101对反射杯的底面继续进行蚀刻并使其贯穿所述反射杯的底部，请参阅图11。当然，也可以在反射杯的底部与金属板1之间的距离接近预设绝缘孔4的厚度时，调整用于蚀刻绝缘孔4的第一喷射孔101的喷射量和喷射速率，以保证反射杯和绝缘孔4的参数均能达到预设值。[0085] 优选地，所述绝缘孔4的深度为0.15mm 0.25mm，蚀刻速度为3m/s 5m/s，结合喷射~ ~时间和所述绝缘孔4的蚀刻形状调节喷射量，在第一喷射孔101的作用下可以达到深度要求，同时保证所述绝缘孔4的宽度均匀性。[0086] 本发明中对金属板1的蚀刻处理与将金属板1浸泡于蚀刻液3中的常规蚀刻处理不同，本发明中的蚀刻液3用于斜面、凹面上，属于动态蚀刻，蚀刻液3在蚀刻金属面上的流动性及其蚀刻速率等均会影响所得反射杯的表面的光滑性，进而影响LED的发光效率，需要采用特定的蚀刻液3与喷射孔的间距以及喷射速率配合，以提高LED芯片的出光。[0087] 所述蚀刻液3的成分按重量份计包括：50 60份三氯化铁、10 20份过硫酸钠、3 8份~ ~ ~硫酸、0.01 0.02份苯并三氮唑、3 7份氨基酸，利用三氯化铁、过硫酸钠和硫酸体系实现对~ ~金属板1的快速蚀刻，添加的苯并三氮唑和氨基酸协同配合可以调节蚀刻速率，在蚀刻金属板1表面形成一层保护膜，避免斜面多次流过的蚀刻液3对金属面的过度腐蚀，提高蚀刻面的质量，其中苯并三氮唑可以调控蚀刻液3的流动性，配合喷射速率减少蚀刻过程中的不均匀性，降低了反射杯的粗糙度，而氨基酸则可以维持蚀刻液3的活性，减少蚀刻液3的用量，保持高效的蚀刻效果。[0088] （3）在反射杯的内表面设置金属反射层8；[0089] 请参阅图12，所述金属反射层8位于所述LED支架6的底部和侧壁上，增加了金属反射层8的设置面积，有利于更好地对光进行反射，促进了光反射率的提升，进而使LED封装器件的发光强度升高。[0090] 进一步地，所述金属反射层8可以为银层，银层对LED芯片的出光的反射率高，具体可以采用电镀的技术手段制备得到。[0091] （4）在绝缘孔4中注入绝缘材料5，形成LED支架6。[0092] 请参阅图13，所述绝缘孔4中的绝缘材料5保留了对LED芯片的光进行反射的作用，进一步提高光反射率，具体可以采用注塑工艺注入，而且对注塑模具的要求低，可操作性更高。所述绝缘材料5可以为常规的塑胶材料。[0093] 进一步地，所述制备方法还包括：在所述LED支架6的外侧设置绝缘材料层11。绝缘材料层11的设置对LED金属支架具有保护作用，可以增加金属支架的耐冲击性能，减少物理损伤和环境因素对LED封装器件的性能影响，提高LED封装器件的稳定性，从而提高LED的可靠性和寿命，其中绝缘材料层11为绝缘材料5固化得到的膜层。[0094] 相应地，本发明还提供了一种LED支架，采用所述的制备方法制备得到，所述LED支架6的反射杯与支架底部的金属板1一体成型。[0095] 相应地，本发明还提供了一种LED封装器件，包括所述的LED支架6。[0096] 进一步地，所述LED封装器件的制备方法主要包括：将LED发光芯片7固定于所述LED支架6上的绝缘孔4对应的位置处，如图14所示；[0097] 优选地，所述LED封装器件的制备方法还包括点胶、烘烤等工序，得到的LED封装器件如图15所示，当所述LED支架6的外侧设置绝缘材料层11时，得到的LED封装器件如图16和图17所示，其中图16中反射杯的剖面为下凹的圆弧面，图17中反射杯的剖面为下凹的圆弧面。[0098] 下面以具体实施例对本发明进行进一步说明：[0099] 实施例1[0100] 本实施例提供一种LED支架，其制备方法如下：[0101] （1）提供一金属板；[0102] 其中金属板为铜板，金属板的厚度为1mm。[0103] （2）采用蚀刻液喷射装置喷射蚀刻液对金属板的底部和侧壁进行蚀刻：使蚀刻液通过所述第一喷射孔喷出，对金属板的底面进行蚀刻，并使蚀刻液喷射装置逐渐下移；下移至与所述第一喷射孔相邻的第二喷射孔的位置处，使蚀刻液通过第二喷射孔喷出，开始对金属板的侧壁进行蚀刻；蚀刻液喷射装置继续下移，使蚀刻液由下至上通过更多第二喷射孔喷出对金属板的侧壁继续进行蚀刻；最后利用第一喷射孔对反射杯底部进行蚀刻，形成贯穿所述反射杯底部的绝缘孔。[0104] 其中，预设LED支架的反射杯的剖面为直线梯形，下底长为A，侧壁长为B，第一喷射孔和第二喷射孔为等间隔设置，相邻所述第一喷射孔的间隔为C，相邻所述第二喷射孔的间隔为D，C=0.07A，D=0.07B，蚀刻液的喷射速率为4m/s，蚀刻液为浓度为1M的三氯化铁溶液。[0105] 其中，绝缘孔的深度为0.2mm，绝缘孔蚀刻过程中喷射速率为4m/s。[0106] （4）在反射杯的内表面电镀银层，包括侧壁和底表面；[0107] （5）通过注塑工艺于绝缘孔中注入塑胶材料，形成LED支架。[0108] 本实施例还提供一种LED封装器件，包含上述LED支架，具体通过将LED发光芯片固定于所述LED支架上的绝缘孔对应的位置处；随后在反射杯中添加封装胶、烘烤得到。[0109] 实施例2[0110] 本实施例提供一种LED支架，与实施例1基本相同，不同之处在于：[0111] 预设LED支架的反射杯的剖面为下凹的圆弧面；[0112] 蚀刻液的喷射速率为4m/s。[0113] 本实施例还提供一种LED封装器件，包含上述LED支架，具体通过将LED发光芯片固定于所述LED支架上的绝缘孔对应的位置处；随后在反射杯中添加封装胶、烘烤得到。[0114] 实施例3[0115] 本实施例提供一种LED支架，与实施例1基本相同，不同之处在于：[0116] 所述制备方法还包括：[0117] （6）在（5）所得LED支架的外表面设置一层塑胶层，厚度为0.1mm。[0118] 本实施例还提供一种LED封装器件，包含上述LED支架，具体通过将LED发光芯片固定于所述LED支架上的绝缘孔对应的位置处；随后在反射杯中添加封装胶、烘烤得到。[0119] 实施例4[0120] 本实施例提供一种LED支架，与实施例1基本相同，不同之处在于：[0121] 所述蚀刻液按重量份计包括：55份三氯化铁、15份过硫酸钠、4份硫酸、0.01份苯并三氮唑、5份氨基酸。[0122] 本实施例还提供一种LED封装器件，包含上述LED支架，具体通过将LED发光芯片固定于所述LED支架上的绝缘孔对应的位置处；随后在反射杯中添加封装胶、烘烤得到。[0123] 对比例1[0124] 本对比例提供一种LED支架，与实施例1基本相同，不同之处在于：[0125] 在反射杯的底表面电镀银层。[0126] 本对比例还提供一种LED封装器件，包含上述LED支架，具体通过将LED发光芯片固定于所述LED支架上的绝缘孔对应的位置处；随后在反射杯中添加封装胶、烘烤得到。[0127] 对比例2[0128] 本对比例提供一种LED支架，其采用常规方法制备得到，结构如图5所示。[0129] 本对比例还提供一种LED封装器件，包含上述LED支架，具体通过将LED发光芯片固定于所述LED支架上的绝缘孔对应的位置处；随后在反射杯中添加封装胶、烘烤得到。[0130] 性能测试[0131] 对实施例所得LED封装器件在320mA条件下测试其发光亮度和发光效率，并以对比例2为基础对照组。[0132] 测试结果如下表1所示。[0133] 表1实施例及对比例所得LED封装器件的性能测试结果[0134][0135] 由上述结果可知，采用所述蚀刻液喷射装置对金属板进行蚀刻，可以实现对更厚的金属板的加工处理，使其形成LED支架结构，通过调整蚀刻液的喷射量和蚀刻速度，并在整个反射杯的内壁表面和底部设置金属反射银层，可以有效提高发光效率和发光强度。[0136] 以上所揭露的仅为本发明一种较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，因此依本发明权利要求所作的等同变化，仍属本发明所涵盖的范围。

专利地区：江西

专利申请日期：2024-08-12

专利公开日期：2024-11-22

专利公告号：CN118630116B