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专利名称：一种发光二极管芯片及其制备方法

专利类型：发明专利

专利申请号：CN202410364112.9

专利申请（专利权）人：湘能华磊光电股份有限公司
权利人地址：湖南省郴州市白露塘有色金属产业园

专利发明（设计）人：周佐华,季辉,张俊峰,周智斌,黄仁义

专利摘要：本发明涉及半导体技术领域，提供一种发光二极管芯片及其制备方法，本发明的发光二极管芯片包括氮化镓外延片；氮化镓外延片从下往上依次包括蓝宝石衬底、缓冲层、UGaN层、N型掺杂的NGaN层、发光层、P型掺杂的PGaN层及欧姆接触层；发光层能发出四种不同峰值波长的蓝光，在400?500nm内连续，与单峰蓝光相比相对发光强度大幅降低；并通过控制四种波峰间距变化以及发光强度，在驱动电流密度10A/cm2～100A/cm2下，主波长变化差值不超过3nm，半波宽大于30nm。本发明的光谱设计降低了驱动电流密度变化对发光二极管光谱波形的影响，使光谱相对于驱动电流变化具有良好的稳定性；用这种发光二极管芯片做成的灯珠白光光谱与太阳光类似，有利于提高显色指数Ra、饱和度Rg以及逼真度Rf。

主权利要求：
1.一种发光二极管芯片，其特征在于，包括氮化镓外延片；
所述氮化镓外延片从下往上依次包括蓝宝石衬底、缓冲层、UGaN层、N型掺杂的NGaN层、发光层、P型掺杂的PGaN层及欧姆接触层；
所述发光层用于发出四种不同峰值波长的蓝光；
所述发光层为多重量子阱结构，其包括按照发光波长分成的第一量子阱层、第二量子阱层、第三量子阱层和第四量子阱层，且所述第一量子阱层靠近P型掺杂的PGaN层设置；
所述第四量子阱层包括多个第四阱垒单元，每个第四阱垒单元均包括一个量子阱QW4和一个量子垒QB4，且其发光峰值波长为465～475nm，称为第四峰值波长；
所述第三量子阱层包括多个设置在第四量子阱层上的第三阱垒单元，每个第三阱垒单元均包括一个量子阱QW3和一个量子垒QB3，且其发光峰值波长为455～465nm，称为第三峰值波长；
所述第二量子阱层包括设置在第三量子阱层上的多个第二阱垒单元，每个第二阱垒单元均包括一个量子阱QW2和一个量子垒QB2，且其发光峰值波长为445～455nm，称为第二峰值波长；
所述第一量子阱层包括设置在第二量子阱层上的多个第一阱垒单元，每个第一阱垒单元均包括一个量子阱QW1和一个量子垒QB1，且其发光峰值波长为435～445nm，称为第一峰值波长；
所述第一峰值波长发光强度处于第二峰值波长发光强度的0.8倍到1.2倍之间；第三峰值波长发光度处于第二峰值波长发光强度的0.4倍到0.8倍之间；第四峰值波长发光强度处于第二峰值波长发光强度的0.3倍到0.8倍之间；
所述第四量子阱层共包括循环交替生长的d组第四阱垒单元；第三量子阱层共包括循环交替生长的c组第三阱垒单元；第二量子阱层共包括循环交替生长的b组第二阱垒单元；
第一量子阱层共包括循环交替生长的a组第二阱垒单元；
循环数满足如下关系：a≥m/2，1≤b≤m/3，1≤c≤m/4，1≤d≤m/4；
其中，m为四组量子阱的总循环数；
量子垒QB4的厚度为d4，量子垒QB3的厚度为d3，量子垒QB2的厚度为d2，量子垒QB1的厚度为d1，d4≥d3≥d2＞d1；
量子垒QB4掺杂Si的浓度为C4，量子垒QB3掺杂Si的浓度为C3，量子垒QB2掺杂Si的浓度为C2，量子垒QB1掺杂Si的浓度为C1，C4≤C3≤C2≤C1且C1/C4≤3；
C1的范围为4.8～5.2E+17atoms/cm3；C2的范围为3.3～3.7E+17atoms/cm3；C3的范围为2.0～2.6E+17atoms/cm3；C4的范围为1.8～2.4E+17atoms/cm3；
d1的范围为7.5～8.5nm，d2的范围为8.5～10nm，d3的范围为9～10.5nm，d4的范围为
9.5～11nm。
2.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片，其特征在于，在发光层以及P型掺杂的PGaN层之间还包括依次生长的LTP层和EBL层，LTP层为低温生长的掺Mg的P型GaN层；所述EBL层为电子阻挡层。
3.一种用于制作如权利要求1?2任意一项所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：使用金属有机化学气相沉积反应腔，在蓝宝石与SiO2复合衬底上依次生长缓冲层、UGaN层和N型掺杂的NGaN层；
步骤二：在步骤一得到的N型掺杂的NGaN层上交替生长SWW阱和SWB垒，循环3?6次得到浅阱层SW；
步骤三：在浅阱层SW上交替生长HTQW阱和HTQB垒，循环3?6次得到高温阱层HTMQW；
步骤四：在高温阱层HTMQW上，先生长量子阱QW4，再在其上覆盖量子垒QB4，二者交替生长，循环数为d，得到第四量子阱层，其发光峰值波长为465～475nm；接着在第四量子阱层上生长量子阱QW3，再在其上覆盖量子垒QB3，二者交替生长，循环数为c，得到第三量子阱层，其发光峰值波长为455～465nm；再在第三量子阱层上生长量子阱QW2，在其上覆盖量子垒QB2，二者交替生长，循环数为b，得到第二量子阱层，其发光峰值波长为445～455nm；最后在第二量子阱层上生长量子阱QW1，在其上覆盖量子垒QB1，二者交替生长，循环数为a，得到第一量子阱层，其发光峰值波长为435～445nm；
循环数还满足如下关系：a≥m/2，1≤b≤m/3，1≤c≤m/4，1≤d≤m/4，得到总循环数为m的发光层；
步骤五：在发光层上生长LTP层，该层为低温生长的掺Mg的P型GaN层；
步骤六：在LTP层上生长EBL层，该层为电子阻挡层，成分是AlGaN，Al组分按生长方向从高到低；
步骤七：在EBL层生长PGaN层，该层为掺Mg的GaN层，掺杂浓度在1.0E+19到3.0E+20之间，用于提供空穴；
步骤八：最后生长P++层，该层为重掺Mg的GaN层，掺杂浓度在4.0E+20到9.0E+20之间，该层为欧姆接触层，至此，氮化镓外延片制作完成；
步骤九：使用步骤八得到的氮化镓外延片做成发光二极管芯片。
4.根据权利要求3所述的一种发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，通过改变量子阱的厚度和/或调整温度来调整步骤四中各量子阱层的发光峰值波长范围。
5.根据权利要求4所述的一种发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤四中：量子垒QB4的厚度为d4，量子垒QB3的厚度为d3，量子垒QB2的厚度为d2，量子垒QB1的厚度为d1，控制d4≥d3≥d2＞d1；
量子垒QB4掺杂Si的浓度为C4，量子垒QB3掺杂Si的浓度为C3，量子垒QB2掺杂Si的浓度为C2，量子垒QB1掺杂Si的浓度为C1，控制C4≤C3≤C2≤C1且C1/C4≤3。 说明书 : 一种发光二极管芯片及其制备方法技术领域[0001] 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种发光二极管芯片及其制备方法。背景技术[0002] 在现有技术中，传统的发光二极管芯片采用的是“一套MQW产生单一波峰”的做法，传统方法首先使用金属有机化学气相沉积反应腔，在蓝宝石与SiO2复合衬底上依次生长buffer层、UGaN层、nGaN层。buffer层即缓冲层，细分两层：第一层是AlN层，第二层是AlGaN。UGaN层是非掺杂GaN层，细分为两层：第一层是以3D生长方式为主的3D层，第二层是以2D生长方式为主的2D层。nGaN层为掺杂Si的n型GaN层，掺杂浓度一般在1.0E+19到3.0E+19之间。接着生长SW层(浅阱层)，细分为SWW阱和SWB垒两层：SWW层是InGaN层，SWB层是GaN层，这2层交替生长，循环3?6次，这里的InGaN层组分较低，整个浅阱层有调节晶格，应力的作用，存储着一定量的电子。同样的，接下来生长HTMQW6(高温阱层)，细分为HTQW阱和HTQB垒两层：HTQW层为InGaN层，HTQB层为GaN层，这两层交替生长，循环3?6次，这里的In组分比浅阱层高，比后面的发光区低，再次调节晶格与应力，存储着一定量的电子。然后生长量子阱发光区7，细分为QW阱和QB垒两层：QW阱为InGaN层，QB垒为GaN层，传统LED外延结构该部分由QW层、QB层交替生长，循环9?12次而成。[0003] 但是这样利用单峰蓝光LED芯片激发荧光粉发出白光，这个白光光谱中蓝光波峰很尖锐，青光部分缺失，所以仍存在以下的主要缺点：[0004] ①白光光谱当中蓝光峰的相对光强太强，造成蓝光：，不利于用眼健康；[0005] ②白光光谱中缺少青光部分，跟太阳光谱差异大；[0006] ③显指在70?80之间，很难做到95以上。[0007] 所以，需要提供新的一种发光二极管芯片及其制备方法，来解决现有技术中存在的上述问题。发明内容[0008] 本发明的第一目的在于提供一种发光二极管芯片其具体技术方案如下：[0009] 一种发光二极管芯片，包括氮化镓外延片；[0010] 所述氮化镓外延片从下往上依次包括蓝宝石衬底、缓冲层、UGaN层、N型掺杂的NGaN层、发光层、P型掺杂的PGaN层及欧姆接触层；[0011] 所述发光层用于发出四种不同峰值波长的蓝光。[0012] 优选的，所述发光层为多重量子阱结构，其包括按照发光波长分成的第一量子阱层、第二量子阱层、第三量子阱层和第四量子阱层，且所述第一量子阱层靠近P型掺杂的PGaN层设置；[0013] 所述第四量子阱层包括多个第四阱垒单元，每个第四阱垒单元均包括一个量子阱QW4和一个量子垒QB4，且其发光峰值波长为465～475nm，称为第四峰值波长；[0014] 所述第三量子阱层包括设置在第四量子阱层上的多个第三阱垒单元，每个第三阱垒单元均包括一个量子阱QW3和一个量子垒QB3，且其发光峰值波长为455～465nm，称为第三峰值波长；[0015] 所述第二量子阱层包括设置在第三量子阱层上的多个第二阱垒单元，每个第二阱垒单元均包括一个量子阱QW2和一个量子垒QB2，且其发光峰值波长为445～455nm，称为第二峰值波长；[0016] 所述第一量子阱层包括设置在第二量子阱层上的多个第一阱垒单元，每个第一阱垒单元均包括一个量子阱QW1和一个量子垒QB1，且其发光峰值波长为435～445nm，称为第一峰值波长；[0017] 所述第一峰值波长发光强度处于第二峰值波长发光强度的0.8倍到1.2倍之间；第三峰值波长发光度处于第二峰值波长发光强度的0.4倍到0.8倍之间；第四峰值波长发光度处于第二峰值波长发光强度的0.3倍到0.8倍之间。[0018] 优选的，所述第四量子阱层共包括循环交替生长的d组第四阱垒单元；第三量子阱层共包括循环交替生长的c组第三阱垒单元；第二量子阱层共包括循环交替生长的b组第二阱垒单元；第一量子阱层共包括循环交替生长的a组第一阱垒单元；[0019] 循环数满足如下关系：a≥m/2，1≤b≤m/3，1≤c≤m/4，1≤d≤m/4；[0020] 其中，m为四组量子阱的总循环数。[0021] 优选的，量子垒QB4的厚度为d4，量子垒QB3的厚度为d3，量子垒QB2的厚度为d2，量子垒QB1的厚度为d1，d4≥d3≥d2＞d1。[0022] 优选的，量子垒QB4掺杂Si的浓度为C4，量子垒QB3掺杂Si的浓度为C3，量子垒QB2掺杂Si的浓度为C2，量子垒QB1掺杂Si的浓度为C1，C4≤C3≤C2≤C1且C1/C4≤3。[0023] 优选的，C1的范围为4.8～5.2E+17atoms/cm3；C2的范围为3.3～3.7E+17atoms/3 3 3cm；C3的范围为2.0～2.6E+17atoms/cm；C4的范围为1.8～2.4E+17atoms/cm；d1的范围为7.5～8.5nm，d2的范围为8.5～10nm，d3的范围为9～10.5nm，d4的范围为9.5～11nm。[0024] 优选的，在发光层以及P型掺杂的PGaN层之间还包括依次生长的LTP层和EBL层，LTP层为低温生长的掺Mg的P型GaN层；所述EBL层为电子阻挡层。[0025] 本发明还提供一种用于制作如上所述的发光二极管芯片的制备方法，包括以下步骤：[0026] 步骤一：使用金属有机化学气相沉积反应腔，在蓝宝石与SiO2复合衬底上依次生长缓冲层、UGaN层和N型掺杂的NGaN层；[0027] 步骤二：在步骤一得到的N型掺杂的NGaN层上交替生长SWW阱和SWB垒，循环3?6次得到浅阱层SW；[0028] 步骤三：在浅阱层SW上交替生长HTQW阱和HTQB垒，循环3?6次得到高温阱层HTMQW；[0029] 步骤四：在高温阱层HTMQW上，先生长量子阱QW4，再在其上覆盖量子垒QB4，二者交替生长，循环数为d，得到第四量子阱层，其发光峰值波长为465～475nm，接着在第四量子阱层上生长量子阱QW3，再在其上覆盖量子垒QB3，二者交替生长，循环数为c，得到第三量子阱层，其发光峰值波长为455～465nm；再在第三量子阱层上生长量子阱QW2，在其上覆盖量子垒QB2，二者交替生长，循环数为b，得到第二量子阱层，其发光峰值波长为445～455nm；最后在第二量子阱层上生长量子阱QW1，在其上覆盖量子垒QB1，二者交替生长，循环数为a，得到第一量子阱层，其发光峰值波长为435～445nm；[0030] 循环数还满足如下关系：a≥m/2，1≤b≤m/3，1≤c≤m/4，1≤d≤m/4，得到总循环数为m的发光层；[0031] 步骤五：在发光层上生长LTP层，该层为低温生长的掺Mg的P型GaN层，且掺杂浓度较高；[0032] 步骤六：在LTP层上生长EBL层，该层为电子阻挡层，成分是AlGaN，Al组分按生长方向从高到低；[0033] 步骤七：在EBL层生长PGaN层，该层为掺Mg的GaN层，掺杂浓度在1.0E+19到3.0E+20之间，用于提供空穴；[0034] 步骤八：最后生长P++层，该层为重掺Mg的GaN层，掺杂浓度在4.0E+20到9.0E+20之间，该层为欧姆接触层，至此，氮化镓外延片制作完成；[0035] 步骤九：使用步骤八得到的氮化镓外延片做成发光二极管芯片。[0036] 优选的，通过改变量子阱的厚度和/或调整温度来调整步骤四中各量子阱层的发光峰值波长范围。[0037] 优选的，所述步骤四中：[0038] 量子垒QB4的厚度为d4，量子垒QB3的厚度为d3，量子垒QB2的厚度为d2，量子垒QB1的厚度为d1，控制d4≥d3≥d2＞d1；[0039] 量子垒QB4掺杂Si的浓度为C4，量子垒QB3掺杂Si的浓度为C3，量子垒QB2掺杂Si的浓度为C2，量子垒QB1掺杂Si的浓度为C1，控制C4≤C3≤C2≤C1且C1/C4≤3。[0040] 应用本发明的技术方案，具有以下有益效果：[0041] 通过本发明的发光二极管芯片，在驱动电流密度10A/cm2～100A/cm2下，在400?500nm连续的发光光谱上具有明显的四个拐点，对应着四个峰值波长，第一峰值波长发光强度处于第二峰值波长发光强度的0.8倍到1.2倍之间；第三峰值波长发光度处于第二峰值波长发光强度的0.4倍到0.8倍之间；第四峰值波长发光度处于第二峰值波长发光强度的0.3倍到0.8倍之间；随着电流的变化，半宽HW都大于30nm，主波长变化差值不超过3nm。本发明将LED芯片蓝光部分分成4个峰，蓝光部分的能量分布被分散，光谱图上蓝光发光强度大幅降低，且在400?500nm内是连续的，没有缺少某一段的光，激发荧光粉后，整个白光光谱图与太阳光类似，有利于提高显色指数Ra、饱和度Rg以及逼真度Rf，并且有利于照明健康。[0042] 除了上面所描述的目的、特征和优点之外，本发明还有其它的目的、特征和优点。下面将参照图，对本发明作进一步详细的说明。附图说明[0043] 构成本发明的一部分的附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：[0044] 图1是本发明实施例1的发光二极管芯片的电致发光光谱图，其中：图1(a)是y1＝1.2y2的光谱图；图1(b)是y1＝0.8y2的光谱图；[0045] 图2是传统的发光二极管芯片的结构示意图；[0046] 图3是本发明实施例1中发光二极管芯片的发光区的示意图；[0047] 图4是实施例2的发光二极管芯片的发光区示意图；[0048] 图5是实施例3的发光二极管芯片的发光区示意图；[0049] 图6是实施例4的发光二极管芯片的发光区示意图。具体实施方式[0050] 以下结合附图对本发明的实施例进行详细说明，但是本发明可以根据权利要求限定和覆盖的多种不同方式实施。[0051] 实施例1：[0052] 本实施例公开一种发光二极管芯片，其氮化镓外延片的发光层能发出四种不同峰值波长的蓝光，采用如下的制备方法制成：[0053] 步骤一：使用金属有机化学气相沉积反应腔，在蓝宝石与SiO2复合衬底上依次生长缓冲层、UGaN层和N型掺杂的NGaN层；本实施例的缓冲层包括AlN层和AlGaN层；UGaN层是非掺杂GaN层，包括以3D生长方式为主的3D层和以2D生长方式为主的2D层；NGaN层为掺杂Si的N型GaN层，掺杂浓度一般在1.0E+19到3.0E+19之间。[0054] 步骤二：在步骤一得到的N型掺杂的NGaN层上交替生长SWW阱和SWB垒，循环3?6次得到浅阱层SW；本实施例中，所述SWW层是InGaN层，SWB层是GaN层；这里的InGaN层组分较低，整个浅阱层有调节晶格应力的作用，存储着一定量的电子。[0055] 步骤三：在浅阱层SW上交替生长HTQW阱和HTQB垒，循环3?6次得到高温阱层HTMQW；本实施例中，HTQW层为InGaN层，HTQB层为GaN层，这两层交替生长，这里的In组分比浅阱层高，比后面的发光区低，再次调节晶格与应力，存储着一定量的电子。[0056] 步骤四：在高温阱层HTMQW上，先生长量子阱QW4，再在其上覆盖量子垒QB4，二者交替生长，循环数为d，得到第四量子阱层，其发光峰值波长为465～475nm；接着在第四量子阱层上生长量子阱QW3，再在其上覆盖量子垒QB3，二者交替生长，循环数为c，得到第三量子阱层，其发光峰值波长为455～465nm；再在第三量子阱层上生长量子阱QW2，在其上覆盖量子垒QB2，二者交替生长，循环数为b，得到第二量子阱层，其发光峰值波长为445～455nm；最后在第二量子阱层上生长量子阱QW1，在其上覆盖量子垒QB1，二者交替生长，循环数为a，得到第一量子阱层，其发光峰值波长为435～445nm；本实施例中通过改变量子阱的厚度和/或调整温度来调整其对应的波长范围；并且控制量子垒QB4的厚度≥量子垒QB3的厚度≥量子垒QB2的厚度＞量子垒QB1的厚度，控制量子垒QB4掺杂Si的浓度≤量子垒QB3掺杂Si的浓度≤量子垒QB2掺杂Si的浓度≤量子垒QB1掺杂Si的浓度，掺杂Si的浓度的最大值与最小值的比值控制在3以内；[0057] 循环数还满足如下关系：a≥m/2，1≤b≤m/3，1≤c≤m/4，1≤d≤m/4，并得到总循环数为m的发光层，详见图3。[0058] 步骤五：在发光层上生长LTP层，该层为低温生长的掺Mg的P型GaN层，且掺杂浓度较高；本实施例中，在8.0E+19到3.0E+20之间，LTP层离发光区最近，有利于就近提供空穴与聚集空穴。另外LTP层有利于填平发光区的V型坑，其生长出来的表面比较粗糙，有利于出光效率的提升。[0059] 步骤六：在LTP层上生长EBL层，该层为电子阻挡层，成分是AlGaN，Al组分按生长方向从高到低；有利于空穴爬坡，空穴传输更有效率。[0060] 步骤七：在EBL层生长PGaN层，该层为掺Mg的GaN层，掺杂浓度在1.0E+19到3.0E+20之间，用于提供空穴。[0061] 步骤八：最后生长P++层，该层为重掺Mg的GaN层，掺杂浓度在4.0E+20到9.0E+20之间，该层为欧姆接触层，至此，氮化镓外延片制作完成；[0062] 步骤九：使用步骤八得到的氮化镓外延片做成发光二极管芯片。[0063] 以上发光二极管芯片的发光光谱具有多个波峰拐点，详见图1，其中图1(a)是y1＝1.2y2的光谱图；图1(b)是y1＝0.8y2的光谱图。本实施例的发光二极管芯片的电致发光光谱图中横轴代表波长，竖轴代表相对光强，第一拐点记为(x1，y1)，对应于第一量子阱层的峰值波长x1，及第一量子阱层峰值波长对应的相对光强y1；第二拐点记为(x2，y2)，对应于第二量子阱层的峰值波长x2，及第二量子阱层峰值波长对应的相对光强y2；第三拐点记为(x3，y3)，对应于第三量子阱层的峰值波长x3，及第三量子阱层峰值波长对应的相对光强y3；第四拐点记为(x4，y4)，对应于第四量子阱层的峰值波长x4，及第四量子阱层峰值波长对应的相对光强y4；以上四组相对光强满足以下关系：若y2＝1.0，则0.8≤y1≤1.2，0.4≤y3≤0.8，0.3≤y4≤0.8。[0064] 本实施例的发光二极管芯片在驱动电流密度10A/cm2～100A/cm2下，在400?500nm连续的发光光谱上具有明显的四个拐点，对应着四个峰值波长，第一峰值波长发光强度处于第二峰值波长发光强度的0.8倍到1.2倍之间；第三峰值波长发光度处于第二峰值波长发光强度的0.4倍到0.8倍之间；第四峰值波长发光度处于第二峰值波长发光强度的0.3倍到0.8倍之间。且随着电流的变化，半宽HW都大于30nm，主波长变化差值不超过3nm。本发明将LED芯片蓝光部分分成4个峰，蓝光部分的能量分布被分散，光谱图上蓝光发光强度大幅降低，且在400?500nm内是连续的，没有缺少某一段的光，激发荧光粉后，整个白光光谱图与太阳光类似，有利于提高显色指数Ra、饱和度Rg以及逼真度Rf，并且有利于照明健康。[0065] 实施例2：[0066] 本实施例在实施例1的基础上，通过改变量子阱的厚度和/或调整温度来调整其发光区对应的波长范围，如图4所示，从而获得不同的发光二极管芯片。[0067] 本实施例QW4到QW1的生长温度相同，QW厚度不同。QW4厚度设定值3.6nm±5％，QW3厚度设定值3.4nm±5％，QW2厚度设定值3nm±5％，QW1厚度设定值2.6nm±5％。QB4、QB3厚度设定值10nm±10％，QB2厚度设定值9nm±10％，QB1厚度设定值8nm±10％。循环数d＝1，c＝1，b＝2，a＝8，QW4的WLP设计值为470±5nm，QW3的WLP设计值为463±5nm，QW2的WLP设计值为450±5nm，QW1的WLP设计值为437±5nm。为了增强第4束光的相对强度，可以增加循环数d；为了增强第3、2束光的强度，可以增加循环数c，b；同理为了增强/降低第1束光的相对强度，可以增加/减少循环数a。[0068] 实施例3：[0069] 本实施例在实施例1的基础上，通过改变量子阱的厚度和/或调整温度来调整其发光区对应的波长范围，如图5所示，从而获得不同的发光二极管芯片。[0070] QW4到QW1的厚度相同，生长温度不同。QW厚度统一为3nm，若QW2的生长温度记为T，T的范围为750?780度之间，那么QW4的温度设定值为T?9℃，QW3的温度设定值为T?6℃，QW1的温度设定值为T+8℃。QB4厚度设定值11nm±10％，QB3厚度设定值10nm±10％，QB2厚度设定值9nm±10％，QB1厚度设定值8nm±10％。循环数d＝1，c＝1，b＝3，a＝7，QW4的WLP设计值为468±5nm，QW3的WLP设计值为462±5nm，QW2的WLP设计值为450±5nm，QW1的WLP设计值为438±5nm。为了增强第4束光的相对强度，可以增加循环数d；为了增强第3、2束光的强度，可以增加循环数c和b；同理为了增强/降低第1束光的相对强度，可以增加/减少循环数a。[0071] 实施例4：[0072] 本实施例在实施例1的基础上，通过改变量子阱的厚度和/或调整温度来调整其发光区对应的波长范围，如图6所示，从而获得不同的发光二极管芯片。[0073] 上述QW厚度与生长温度的综合运用。QW4的厚度设计为3.6nm±5％，QW3的厚度设计为3.4nm±5％，QW2与QW1的厚度设计为3.0nm±5％；同时QW4/QW3/QW2设计温度为T，QW1的温度设定值为T+8℃；循环数d＝1，c＝2，b＝2，a＝7，QW4的WLP设计值为470±5nm，QW3的WLP设计值为463±5nm，QW2的WLP设计值为450±5nm，QW1的WLP设计值为438±5nm。为了增强第4束光的相对强度，可以增加循环数d；为了增强第3、2束光的强度，可以增加循环数c和b；同理为了增强/降低第1束光的相对强度，可以增加/减少循环数a。[0074] 以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

专利地区：湖南

专利申请日期：2024-03-28

专利公开日期：2024-11-22

专利公告号：CN118039759B