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专利名称：可探测多种气体的DFB激光器及其制备方法

专利类型：实用新型专利

专利申请号：CN202410569564.0

专利申请（专利权）人：江西杰创半导体有限公司,杰创半导体(苏州)有限公司
权利人地址：江西省抚州市南城县河东工业园东三路电子产业园B17栋

专利发明（设计）人：祝进田

专利摘要：本申请公开了一种可探测多种气体的DFB激光器及其制备方法，DFB激光器的光栅层包括若干相互隔离、周期不同的光栅结构，以出射不同波长激光，量子阱层的增益范围覆盖若干光栅结构出射的激光波长；第一绝缘介质层上设有位于若干光栅结构的正投影区域的若干P型欧姆接触区；第二绝缘介质层上设有与若干P型欧姆接触区一一对应连接的P电极；衬底背离N型缓冲层一面设有N电极；DFB激光器内部还设有用于将若干光栅结构出射激光引出至第二侧端面的波导区域。本申请通过选择不同的P电极加电，能够实现出射激光的波长选择，从而探测不同的气体，实现单一激光器对不同气体的探测。

主权利要求：
1.一种可探测多种气体的DFB激光器，其特征在于，包括依次层叠设置的衬底、N型缓冲层、下波导层、量子阱层、上波导层、间隔层、光栅层、P型层、欧姆接触层、第一绝缘介质层和第二绝缘介质层，所述DFB激光器包括相背设置的第一侧端面和第二侧端面，所述第一侧端面和所述第二侧端面分别布置有HR膜和AR膜；
其中，所述光栅层包括若干相互隔离、周期不同的光栅结构，以出射不同波长激光，所述量子阱层的增益范围覆盖所述若干光栅结构出射的激光波长；所述第一绝缘介质层上设有位于所述若干光栅结构的正投影区域的若干P型欧姆接触区；所述第二绝缘介质层上设有与所述若干P型欧姆接触区一一对应连接的P电极；所述衬底背离所述N型缓冲层一面设有N电极；
所述DFB激光器内部还设有用于将所述若干光栅结构出射激光引出至所述第二侧端面的波导区域；
所述DFB激光器用于通过选择加电的所述P电极，控制对应的所述P型欧姆接触区和所述光栅结构工作，出射一种波长的激光，以及通过选择不同的所述P电极加电，实现出射激光的波长选择。
2.根据权利要求1所述的DFB激光器，其特征在于，所述第二绝缘介质层上设有与所述若干P型欧姆接触区一一对应的若干窗口，以露出部分所述P型欧姆接触区，所述P电极通过所述窗口与对应的所述P型欧姆接触区连接。
3.根据权利要求1所述的DFB激光器，其特征在于，所述DFB激光器内设有与所述若干光栅结构一一对应的若干所述波导区域，在与所述衬底垂直方向上，所述波导区域自所述欧姆接触层表面延伸至所述光栅结构旁，在与所述衬底平行方向上，所述波导区域一端连接对应的所述光栅结构，另一端延伸至所述第二侧端面，所述若干波导区域靠近所述第二侧端面一端连接为一体。
4.根据权利要求3所述的DFB激光器，其特征在于，所述若干光栅结构平行均匀间隔设置，且所述光栅结构沿所述第一侧端面指向所述第二侧端面方向延伸设置。
5.根据权利要求4所述的DFB激光器，其特征在于，所述若干光栅结构相对于第一中心面对称设置，所述若干波导区域相对于所述第一中心面对称设置。
6.一种如权利要求1至5任一所述DFB激光器的制备方法，其特征在于，包括：在衬底表面进行第一次外延生长，得到依次设置的N型缓冲层、下波导层、量子阱层、上波导层、间隔层和光栅层；
在第一次外延生长的外延表面上制备若干相互隔离、周期不同的光栅结构；
在所述光栅层表面进行第二次外延生长，得到依次设置的P型层和欧姆接触层；
在第二次外延生长的外延表面进行刻蚀得到波导区域；
在第二次外延生长的外延表面生长第一绝缘介质层；
在所述第一绝缘介质层表面制备与所述若干光栅结构一一对应的若干P型欧姆接触区；
在所述第一绝缘介质层表面生长第二绝缘介质层；
在所述第二绝缘介质层上制备与所述若干P型欧姆接触区一一对应连接的若干P电极；
对所述衬底进行减薄、抛光操作，之后在所述衬底背离N型缓冲层一面制备N电极；
在两侧端面分别镀AR膜和HR膜，其中，AR膜位于靠近所述波导区域的外端的一侧端面。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述在第二次外延生长的外延表面进行刻蚀得到波导区域的步骤具体为：通过光刻工艺和ICP工艺对第二次外延生长的外延表面进行可使，得到所述波导区域。
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述在第一次外延生长的外延表面上制备若干相互隔离、周期不同的光栅结构的步骤包括：在外延表面涂敷光刻胶，并用电子束书写设备在光刻胶上书写若干相互隔离、周期不同的图像阵列，每组所述图像阵列包括依次间隔布置的多个图像单元，每一所述图像阵列的周期满足布拉格反射条件；
以经过书写的光刻胶为掩膜，对外延表面进行刻蚀，将所述图像阵列转移至外延表面；
清洗外延表面，在外延表面生长光栅覆盖层以填充所述图像阵列，得到若干相互隔离、周期不同的光栅结构。
9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第一绝缘介质层上制备与所述若干光栅结构一一对应的若干P型欧姆接触区的步骤包括：通过光刻和RIE工艺去除位于所述光栅结构的正投影区域的所述第一绝缘介质层，得到位于所述第一绝缘介质层的开口区域；
通过金属蒸镀和金属剥离工艺在所述开口区域沉积金属材料，得到与所述若干光栅结构一一对应的P型欧姆接触区。
10.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第二绝缘介质层上制备与所述若干P型欧姆接触区一一对应连接的若干P电极的步骤包括：通过光刻和RIE工艺在所述第二绝缘介质层上开窗，得到与所述若干P型欧姆接触区一一对应的窗口，以使所述窗口露出对应的所述P型欧姆接触区；
通过金属蒸镀和金属剥离工艺在所述第二绝缘介质层上制备与所述若干窗口一一对应连接的若干P电极。 说明书 : 可探测多种气体的DFB激光器及其制备方法技术领域[0001] 本申请涉及气体激光传感器，特别是涉及一种可探测多种气体的DFB激光器及其制备方法。背景技术[0002] 气体激光传感器是利用光谱技术进行气体检测的装置。基于不同气体分子的吸收特性不同，利用激光器波长选择性地激发目标气体分子，再测量其散射光信号，从而确定气体浓度。由于激光技术具有高分辨率，气体激光传感器可以检测到非常微小的气体反应，可以非常准确地选择目标气体分子，从而避免其他气体的干扰。同时，激光器具有非常快速的响应能力，可以快速进行气体浓度的检测和监控，且激光器具有长寿命和高可靠性，可以有效地减少维护和更换成本，因此激光技术在光通讯、数据中心、3D传感、环保、工业生产、医疗卫生等领域得到广泛应用。[0003] 目前，特定波长的激光器仅能探测一种特定气体，例如1512.2nm波长的激光器可以探测氨气、1532nm波长的激光器可以探测乙炔、1567nm波长的激光器可以探测一氧化碳、1578nm波长的激光器可以探测硫化氢、1653.7nm波长的激光器可以探测甲烷、1676nm波长的激光器可以探测乙烷等，无法采用单一激光器探测不同气体，不利于气体激光传感器的普及和应用。[0004] 申请内容[0005] 本申请的目的在于提供一种可探测多种气体的DFB激光器及其制备方法，以解决现有技术中存在的无法采用单一激光器探测不同气体，不利于气体激光传感器的普及和应用的技术问题。[0006] 为实现上述目的，本申请采用的一个技术方案是：[0007] 提供一种可探测多种气体的DFB激光器，包括依次层叠设置的衬底、N型缓冲层、下波导层、量子阱层、上波导层、间隔层、光栅层、P型层、欧姆接触层、第一绝缘介质层和第二绝缘介质层，所述DFB激光器包括相背设置的第一侧端面和第二侧端面，所述第一侧端面和所述第二侧端面分别布置有HR膜和AR膜；[0008] 其中，所述光栅层包括若干相互隔离、周期不同的光栅结构，以出射不同波长激光，所述量子阱层的增益范围覆盖所述若干光栅结构出射的激光波长；所述第一绝缘介质层上设有位于所述若干光栅结构的正投影区域的若干P型欧姆接触区；所述第二绝缘介质层上设有与所述若干P型欧姆接触区一一对应连接的P电极；所述衬底背离所述N型缓冲层一面设有N电极；[0009] 所述DFB激光器内部还设有用于将所述若干光栅结构出射激光引出至所述第二侧端面的波导区域。[0010] 在一个或多个实施方式中，所述第二绝缘介质层上设有与所述若干P型欧姆接触区一一对应的若干窗口，以露出部分所述P型欧姆接触区，所述P电极通过所述窗口与对应的所述P型欧姆接触区连接。[0011] 在一个或多个实施方式中，所述DFB激光器内设有与所述若干光栅结构一一对应的若干所述波导区域，在与所述衬底垂直方向上，所述波导区域自所述欧姆接触层表面延伸至所述光栅结构旁，在与所述衬底平行方向上，所述波导区域一端连接对应的所述光栅结构，另一端延伸至所述第二侧端面，所述若干波导区域靠近所述第二侧端面一端连接为一体。[0012] 在一个或多个实施方式中，所述若干光栅结构平行均匀间隔设置，且所述光栅结构沿所述第一侧端面指向所述第二侧端面方向延伸设置。[0013] 在一个或多个实施方式中，所述若干光栅结构相对于第一中心面对称设置，所述若干波导区域相对于所述第一中心面对称设置。[0014] 为实现上述目的，本申请采用的另一个技术方案是：[0015] 提供一种如上述任一实施方式所述的DFB激光器的制备方法，包括：[0016] 在衬底表面进行第一次外延生长，得到依次设置的N型缓冲层、下波导层、量子阱层、上波导层、间隔层和光栅层；[0017] 在第一次外延生长的外延表面上制备若干相互隔离、周期不同的光栅结构；[0018] 在所述光栅层表面进行第二次外延生长，得到依次设置的P型层和欧姆接触层；[0019] 在第二次外延生长的外延表面进行刻蚀得到波导区域；[0020] 在第二次外延生长的外延表面生长第一绝缘介质层；[0021] 在所述第一绝缘介质层表面制备与所述若干光栅结构一一对应的若干P型欧姆接触区；[0022] 在所述第一绝缘介质层表面生长第二绝缘介质层；[0023] 在所述第二绝缘介质层上制备与所述若干P型欧姆接触区一一对应连接的若干P电极；[0024] 对所述衬底进行减薄、抛光操作，之后在所述衬底背离N型缓冲层一面制备N电极；[0025] 在两侧端面分别镀AR膜和HR膜，其中，AR膜位于靠近所述波导区域的外端的一侧端面。[0026] 在一个或多个实施方式中，所述在在第二次外延生长的外延表面进行刻蚀得到波导区域的步骤具体为：[0027] 通过光刻工艺和ICP工艺对第二次外延生长的外延表面进行可使，得到所述波导区域。[0028] 在一个或多个实施方式中，所述在第一次外延生长的外延表面上制备若干相互隔离、周期不同的光栅结构的步骤包括：[0029] 在外延表面涂敷光刻胶，并用电子束书写设备在光刻胶上书写若干相互隔离、周期不同的图像阵列，每组所述图像阵列包括依次间隔布置的多个图像单元，每一所述图像阵列的周期满足布拉格反射条件；[0030] 以经过书写的光刻胶为掩膜，对外延表面进行刻蚀，将所述图像阵列转移至外延表面；[0031] 清洗外延表面，在外延表面生长光栅覆盖层以填充所述图像阵列，得到若干相互隔离、周期不同的光栅结构。[0032] 在一个或多个实施方式中，所述在所述第一绝缘介质层上制备与所述若干光栅结构一一对应的若干P型欧姆接触区的步骤包括：[0033] 通过光刻和RIE工艺去除位于所述光栅结构的正投影区域的所述第一绝缘介质层，得到位于所述第一绝缘介质层的开口区域；[0034] 通过金属蒸镀和金属剥离工艺在所述开口区域沉积金属材料，得到与所述若干光栅结构一一对应的P型欧姆接触区。[0035] 在一个或多个实施方式中，所述在所述第二绝缘介质层上制备与所述若干P型欧姆接触区一一对应连接的若干P电极的步骤包括：[0036] 通过光刻和RIE工艺在所述第二绝缘介质层上开窗，得到与所述若干P型欧姆接触区一对对应的窗口，以使所述窗口露出对应的所述P型欧姆接触区；[0037] 通过金属蒸镀和金属剥离工艺在所述第二绝缘介质层上制备与所述若干窗口一一对应连接的若干P电极。[0038] 区别于现有技术，本申请的有益效果是：[0039] 本申请的DFB激光器能够通过选择加电的P电极，可以控制对应的P型欧姆接触区和光栅结构工作，出射一种波长的激光，通过选择不同的P电极加电，能够实现出射激光的波长选择，从而探测不同的气体，实现单一激光器对不同气体的探测；[0040] 本申请的制备方法通过在单一光栅层制备多个周期不同的光栅结构，并在第一绝缘介质层与每一光栅结构对应的P型欧姆接触区，在第二绝缘介质层上设置与P型欧姆接触区一一对应连接的P电极，从而实现了对不同光栅结构的工作控制，使得单一激光器可选择性出射不同波长的激光，实现不同气体的探测。附图说明[0041] 为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。[0042] 图1是本申请可探测多种气体的DFB激光器一实施方式的结构示意图；[0043] 图2是图1中A?A面的剖视结构示意图；[0044] 图3是本申请图1中B?B面的剖视结构示意图；[0045] 图4是本申请第一绝缘介质层的结构示意图；[0046] 图5是图1的俯视结构示意图；[0047] 图6是本申请可探测多种气体的DFB激光器的制备方法一实施方式的流程示意图；[0048] 图7是图6中S100对应的结构图；[0049] 图8是图6中S200对应的流程示意图；[0050] 图9是图6中S200对应的结构图；[0051] 图10是图6中S300对应的结构图；[0052] 图11是图6中S400对应的结构图；[0053] 图12是图6中S600对应的结构图；[0054] 图13是图6中S800对应的结构图；[0055] 图14是图6中S1000对应的结构图。[0056] 附图标记：[0057] 衬底100；[0058] N型缓冲层200；[0059] 下波导层300；[0060] 量子阱层400；[0061] 上波导层500；[0062] 间隔层600；[0063] 光栅层700；光栅结构701；[0064] P型层800；[0065] 欧姆接触层900；[0066] 第一绝缘介质层1000；P型欧姆接触区1001；[0067] 第二绝缘介质层1100；窗口1101；[0068] 第一侧端面10；第二侧端面20；HR膜30；AR膜40；波导区域50；P电极60；N电极70。具体实施方式[0069] 为了使本技术领域的人员更好地理解本申请中的技术方案，下面将结合附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范围。[0070] 为了解决目前特定波长的激光器仅能探测一种特定气体，无法采用单一激光器探测不同气体，不利于气体激光传感器的普及和应用的问题。申请人开发了一种可探测多种气体的激光器，该激光器通过集成多种不同周期的光栅结构701，并可选择不同光栅结构701工作激发出射不同波长激光，从而实现了对不同气体的探测。[0071] 具体地，请参阅图1，图1是本申请可探测多种气体的DFB激光器一实施方式的结构示意图。[0072] 如图1所示，该DFB激光器包括依次层叠设置的衬底100、N型缓冲层200、下波导层300、量子阱层400、上波导层500、间隔层600、光栅层700、P型层800、欧姆接触层900、第一绝缘介质层1000、第二绝缘介质层1100。[0073] 在一个实施方式中，衬底100可以是InP衬底100，厚度可以为350um；N型缓冲层200可以是N?InP，厚度可以为0.5～1um，Si的掺杂浓度可以为1～2E18cm^?3。[0074] 下波导层300和上波导层500的材质可以为InP，厚度可以为0.15um；量子阱层400可以由5组10nm厚的垒层和7nm厚的阱层组成，下波导层300、上波导层500和量子阱层400不故意掺杂。[0075] 间隔层600的材质可以为InP，厚度可以为0.1um，Zn的掺杂浓度可以为3～10E17cm^?3；[0076] 光栅层700的厚度可以为0.1um，Zn的掺杂浓度可以为5～10E17cm^?3；[0077] P型层800的材质可以为InP，厚度可以为1.8um，Zn的掺杂浓度可以为5～10E17cm^?3；[0078] 欧姆接触层900的材质可以为InP，厚度可以为0.2um，Zn的掺杂浓度可以大于2E19cm^?3。[0079] 第一绝缘介质层1000和第二绝缘介质层1100的材质可以是任意可应用至激光器的绝缘材料，其中第一绝缘介质层1000的厚度可以为100nm，第二绝缘介质层1100的厚度可以为300nm。[0080] 请参阅图2，图2是图1中A?A面的剖视结构示意图，光栅层700包括五个相互隔离、周期不同的光栅结构701，以出射不同波长激光。量子阱层400的增益范围覆盖全部光栅结构701出射的激光波长。[0081] DFB激光器包括相背设置的第一侧端面10和第二侧端面20，第一侧端面10和第二侧端面20分别布置有HR膜30和AR膜40，从而可使光栅层700出射的激光能够在HR膜30反射作用下由AR膜40一侧出射。[0082] 为了实现光栅结构701出射的激光的引出，DFB激光器内部还设有波导区域50。具体地，请参阅图2和图3，图3是本申请图1中B?B面的剖视结构示意图。[0083] 如图2和图3所示，本实施方式中DFB激光器内设有与五个光栅结构701一一对应的五个波导区域50。[0084] 在与衬底100垂直方向上，波导区域50自欧姆接触层900表面延伸至光栅结构701旁，在与衬底100平行方向上，波导区域50一端连接对应的光栅结构701，另一端延伸至第二侧端面20，若干波导区域50靠近第二侧端面20一端连接为一体，从而可以减少接收器的个数和接收面积，以减少成本。[0085] 本实施方式中，五个光栅结构701可以平行均匀间隔设置，且光栅结构701可以沿第一侧端面10指向第二侧端面20方向延伸设置；在其他实施方式中，也可以基于实际工况调节不同光栅结构701的排布方式，保证相互隔离即可。[0086] 本实施方式中，五个光栅结构701可以相对于第一中心面对称设置，五个波导区域50相对于第一中心面对称设置；在其他实施方式中，也可以基于实际工况调节不同光栅结构701和波导区域50的排布方式，保证相互隔离即可。[0087] 请参阅图4，图4是本申请第一绝缘介质层的结构示意图。如图4所示，第一绝缘介质层1000设有位于五个光栅结构701的正投影区域的五个P型欧姆接触区1001。[0088] 请参阅图5，图5是图1的俯视结构示意图。如图1和5所示，第二绝缘介质层1100上设有与若干P型欧姆接触区1001一一对应连接的P电极60。[0089] 在一个实施方式中，第二绝缘介质层1100上可以设有与五个P型欧姆接触区1001一一对应的五个窗口1101，以露出部分P型欧姆接触区1001，P电极60可以通过窗口1101与对应的P型欧姆接触区1001连接，从而实现P电极60和对应光栅结构701的连接。[0090] 如图1所示，衬底100背离N型缓冲层200一面设有N电极70。[0091] 基于上述结构的激光器，通过选择加电的P电极60，可以控制对应的P型欧姆接触区1001和光栅结构701工作，出射一种波长的激光。通过选择不同的P电极60加电，能够实现出射激光的波长选择，从而探测不同的气体。[0092] 应当说明的是，上述实施方式以能够出射五种不同波长的DFB激光器为例阐述了本申请的技术方案，在其他实施方式中，也可以设置出射其他数量波长激光的DFB激光器，例如2种、3种等，并相应设置其他数量的相互隔离、周期不同的光栅结构701，均能够实现本实施方式的效果。[0093] 本申请还提供了一种上述各实施方式的DFB激光器的制备方法，请参阅图6，图6是本申请可探测多种气体的DFB激光器的制备方法一实施方式的流程示意图。[0094] 如图6所示，该制备方法包括：[0095] S100、在衬底表面进行第一次外延生长，得到依次设置的N型缓冲层、下波导层和量子阱层、上波导层、间隔层和光栅层。[0096] 在一个实施方式中，衬底100可以是InP衬底100，可以通过MOCVD工艺进行第一次外延生长，并保证量子阱层400的增益范围覆盖所有目标激光波长。[0097] 请参阅图7，图7是图6中S100对应的结构图。[0098] S200、在第一次外延生长的外延表面上制备若干相互隔离、周期不同的光栅结构。[0099] 具体地，请参阅图8，图8是图6中S200对应的流程示意图。[0100] 如图3所示，光栅结构701的制备方法可以是：[0101] S201、在外延表面涂敷光刻胶，并用电子束书写设备在光刻胶上书写若干相互隔离、周期不同的图像阵列。[0102] 其中，每组图像阵列包括依次间隔布置的多个图像单元，且每一图像阵列的周期满足布拉格反射条件。[0103] 通过电子束光刻方法能够实现光栅周期的自动化控制，并保证图像精度。[0104] S202、以经过书写的光刻胶为掩膜，对外延表面进行刻蚀，将图像阵列转移至外延表面。[0105] 在一个实施方式中，刻蚀的方法可以是ICP刻蚀，刻蚀深度可以是0.1～0.2微米。[0106] S203、清洗外延层表面，在外延表面生长光栅覆盖层，以填充图像阵列，得到若干相互隔离、周期不同的光栅结构。[0107] 在一个实施方式中，可以通过MOCVD工艺生长光栅覆盖层，从而得到包括若干相互隔离、周期不同的光栅结构701的光栅层700。[0108] 请参阅图9，图9是图6中S200对应的结构图。[0109] S300、在光栅层表面进行第二次外延生长，得到依次设置的P型层和欧姆接触层。[0110] 在一个实施方式中，可以通过MOCVD工艺生长P型层800和欧姆接触层900。[0111] 请参阅图10，图10是图6中S300对应的结构图。[0112] S400、在第二次外延生长的外延表面进行刻蚀得到波导区域。[0113] 其中，波导区域50一端延伸至侧端面。[0114] 具体地，可以通过光刻工艺将波导区域50图像转移至欧姆接触层900表面，之后通过ICP刻蚀刻蚀至光栅层700，经过表面清洗后，得到与多个光栅结构701一一对应的波导区域50。[0115] 请参阅图11，图11是图6中S400对应的结构图。[0116] S500、在第二次外延生长的外延表面生长第一绝缘介质层。[0117] 其中，第一绝缘介质层1000覆盖了波导区域50。[0118] S600、在第一绝缘介质层上制备与若干光栅结构一一对应的若干P型欧姆接触区。[0119] 其中，P型欧姆接触区1001的制备方法可以是：[0120] 通过光刻和RIE工艺去除位于光栅结构701的正投影区域的第一绝缘介质层1000，得到位于第一绝缘介质层1000的开口区域。[0121] 通过金属蒸镀和金属剥离工艺在开口区域沉积金属材料，得到与若干光栅结构701一一对应的P型欧姆接触区1001。[0122] 具体的，在一个实施方式中，可以通过光刻工艺在第一绝缘介质层1000设置露出开口区域的光刻胶层，之后蒸镀P型欧姆接触材料，再剥离光刻胶层，得到位于开口区域的P型欧姆接触区1001。[0123] 请参阅图12，图12是图6中S600对应的结构图。[0124] S700、在第一绝缘介质层表面生长第二绝缘介质层。[0125] 其中，第二绝缘介质层1100覆盖了P型欧姆接触区1001。[0126] S800、在第二绝缘介质层上制备与若干P型欧姆接触区一一对应连接的若干P电极。[0127] 在一个实施方式中，可以通过光刻和RIE工艺在第二绝缘介质层1100上开窗，得到与若干P型欧姆接触区1001一一对应的窗口1101；[0128] 之后通过光刻工艺和金属蒸镀工艺在第二绝缘介质层1100上制备P电极60，并使P电极60的连接线延伸至对应的窗口1101，实现P电极60与对应的P型欧姆接触区1001的连接。[0129] 请参阅图13，图13是图6中S800对应的结构图。[0130] S900、对衬底进行减薄、抛光操作，之后在衬底背离N型缓冲层一面制备N电极。[0131] S1000、在两侧端面分别镀AR膜和HR膜。[0132] 请参阅图14，图14是图6中S1000对应的结构图。[0133] 其中，AR膜40位于靠近波导区域50的外端的一侧端面。[0134] 具体地，在一个实施方式中，当同步实现多个DFB激光器的制备时，可以先进行衬底100的解理，之后在DFB激光器的两面分别镀AR膜40和HR膜30。[0135] 对于本领域技术人员而言，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。[0136] 前述对本申请的具体示例性实施方案的描述是为了说明和例证的目的。这些描述并非想将本申请限定为所公开的精确形式，并且很显然，根据上述教导，可以进行很多改变和变化。对示例性实施例进行选择和描述的目的在于解释本申请的特定原理及其实际应用，从而使得本领域的技术人员能够实现并利用本申请的各种不同的示例性实施方案以及各种不同的选择和改变。本申请的范围意在由权利要求书及其等同形式所限定。

专利地区：江西

专利申请日期：2024-05-09

专利公开日期：2024-11-05

专利公告号：CN118472765B