
高PSR无片外电容LDO集成电路布图申请办理由广西师范大学获得国家知识产权局申请集成电路布图设计登记(集成电路布图设计登记号:BS.255505752),按照国家《集成电路布图设计保护条例》相关法律法规,受到法律保护。
集成电路布图名称:高 PSR无片外电容 LDO
登记号:BS.255505752
权利人:广西师范大学
创作人:宋树祥、卢振贤、蒋品群、李海鸥、庚新林、张春燕、蔡超波、邓波
申请日期:2025年1月22日
公告日期:2025年7月18日
集成电路布图设计属于I类知识产权,在高新项目申报中其价值含量与发明专利作用同等。
集成电路布图设计申请周期约为2个月左右。布图设计自登记之日起保护期限为10年。
集成电路布图设计登记申请之日或在世界任何地方首次投入商业使用之日计算,以较前日期为准,保护期限为10年。布图设计专有权,是指通过申请注册后依法获得利用集成电路设计布图实现布图设计价值得到商业利益的权益,也是用于侵权诉讼的依据。
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